稀磁半导体材料的理论设计与计算

稀磁半导体因兼具电子的电荷和自旋双重量子属性，使其成为微电子学领域新的研究热点。近年来，大部分的研究主要针对II–VI和III–V族半导体进行掺杂改性，而较少关注于其他母体材料。本书主要介绍了几种新型稀磁材料的电子结构和磁学性质，讨论、分析了这些稀磁材料的磁性耦合机制以及磁性起源问题，为高新技术材料的合成与设计以及离子掺杂理论的探索提供可资借鉴的重要理论和方法。本书适合于材料设计与计算、凝聚态物理学以及计算机科学等领域的科研人员、技术人员阅读，也可作为材料物理、凝聚态物理等专业课程的参考书。

稀磁半导体因兼具电子的电荷和自旋双重量子属性，使其成为微电子学领域新的研究热点。近年来，大部分的研究主要针对II–VI和III–V族半导体进行掺杂改性，而较少关注于其他母体材料。本书主要介绍了几种新型稀磁材料的电子结构和磁学性质，讨论、分析了这些稀磁材料的磁性耦合机制以及磁性起源问题，为高新技术材料的合成与设计以及离子掺杂理论的探索提供可资借鉴的重要理论和方法。本书适合于材料设计与计算、凝聚态物理学以及计算机科学等领域的科研人员、技术人员阅读，也可作为材料物理、凝聚态物理等专业课程的参考书。