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本书是一本硅基锗(Ge)材料及其光电器件方面的入门书籍。本书分为三个部分，首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识，接着阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料，锗的原位硼(B)和磷(P)掺杂，很后是硅基锗 PN结和PIN结构的基本物理特性，并给出相关特性的定性与定量分析。书可作为微电子专业的本科生及研究生的参考书，也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。
| 基本信息 | |
|---|---|
| 出版社 | 哈尔滨工程大学出版社 |
| ISBN | 9787566126481 |
| 条码 | 9787566126481 |
| 编者 | 陈城钊 |
| 译者 | |
| 出版年月 | 2020-04-01 00:00:00.0 |
| 开本 | 16开 |
| 装帧 | 平装 |
| 页数 | 99 |
| 字数 | 112000 |
| 版次 | 1 |
| 印次 | 1 |
| 纸张 | |
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